纳微、GaN Systems进入三星手机快充供应链！

昨日，纳微半导体和GaN Systems先后宣布，进入三星Galaxy S22快充供应链，助力实现配套45W快充充电器。

纳微半导体：充电速度较硅增300%，节能40%！

GaN功率芯片龙头纳微半导体表示，其GaNFast技术已进入三星Galaxy S22 Ultra和S22+ 智能手机充电器。这款小巧、功能强大的45W快充充电器具有所有三星充电器中最高的功率密度，由GaNFast功率芯片助力实现。

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Source：纳微半导体

S22 Ultra和S22+是三星最新一代推出的旗舰智能手机。使用纳微GaNFast功率芯片的这款45W充电器（型号#EP-T4510）在USB-PD 和PPS 快充协议下提供快速的充电功率。这款充电器的尺寸仅为 47.4 x 27.9 x 43.6 mm(57.7 cc)，功率密度超过 1 W/cc。

纳微专有的 GaN 功率 IC 在单个 SMT 封装中集成了GaN器件，驱动，控制和保护功能。是易于使用、高速、高性能的“数字输入、电源输出”模块，与早期的硅方案相比，实现高达3倍的充电速度、节省一半的尺寸和重量，节能高达 40%。

据了解，每出货一个纳微GaNFastGaN功率芯片，可以减少4公斤的二氧化碳排放量。”

GaN Systems：功率是上代的两倍

GaN功率半导体领先企业GaN Systems同日宣布，其高效半导体产品已被选中为三星Galaxy S22+和Ultra旗舰智能手机供电。这款45W充电器的功率几乎是上一代的两倍，同时支持超快速充电。

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Source：GaN Systems

GaN Systems 首席执行官 Jim Witham表示：“三星为其旗舰智能手机选择了我们领先的分立式解决方案，进一步强化了高端消费设备与GaN技术出色的效率和功率之间的紧密联系。”

GaN：充电市场的“杀手锏”

GaN相较硅，具有宽禁带、高电子饱和速度、高击穿节电场的特性，有着更低的导通损耗和EMC特性。GaN功率主要应用在消费性产品、新能源车、通讯及数据中心。

充电市场方面，近年来随着消费者对生活的品质要求越来越高，充电器市场正在面临着一系列的挑战。更大的功率，更快的充电速度和更小的体积。

GaN是下一代半导体技术，其运行速度比传统硅芯片快20倍。用于尖端快速充电器产品时，GaN可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。

在此背景下，GaN成了手机厂商和芯片厂商的“掌中宝”。

根据TrendForce集邦咨询研究指出，在GaN功率晶体管价格不断下降（目前已逼近约1美元），以及技术方案愈趋成熟的态势下，预估至2025年GaN在整体快充领域的市场渗透率将达到52%。

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Source：TrendForce集邦咨询

（文：化合物半导体市场 Amber）

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